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通过联合使用化学试剂滴胶和nano-master的兆声清洗技术,系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升,从而被释放的颗粒在幅流的di水作用下被扫除出去,而把回附的数量降到了zui低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流di水的优势,---的静态可循环兆声清洗槽会有数量的颗粒回附,并且因此需要更多的去除这些颗粒。
nano-master的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版前面的对准标记,降低这些掩模版的不---去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外,带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。
化学清洗槽也叫酸槽/化学槽,主要有hf,h2so4,h2o2,hcl等酸碱液体按一定比例配置,目的是为了去除杂质,去离子,去原子,后还有di清洗。ipa是,就是工业酒精,是用来clean机台或parts的,是为了减少partical的。
等离子清洗法利用等离子体产生的自由基与有机异物反应,再以气流的方式去除,从而达到清洗的目的。由于ap功率强,一般会对金属表面产生影响,所以,半导体清洗机设备,在金属制程中一般不采用ap plasma的清洗技术。ap使用的气体主要是氮气和空气按照一定的比例混合,同时,刻蚀清洗机,和玻璃基板保持合适的距离,清洗机,加载一定的电压,从而产生自由基,对基板表面进行清洁。
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